Samsung Electronics inicia a produção em massa da primeira memória eUFS da indústria 3…1 volume de 512 GB. A nova memória flash será usada nos principais smartphones, tablets e outros dispositivos móveis.
De acordo com o fabricante, a memória eUFS 3…1 Oferece três vezes a velocidade de gravação da memória móvel eUFS anterior 3…0 512 GB. Com uma velocidade máxima de gravação sequencial de 1200 MB / s eUFS 3…1 duas vezes mais rápido que um PC baseado em SATA (540 MB / s) e dez vezes mais rápido que um cartão microSD UHS-I (90 MB / s). Com esse armazenamento rápido, os usuários podem gravar arquivos enormes como vídeo de 8K em seus smartphones sem buffer.
Transferir conteúdo do smartphone antigo para o novo também levará menos tempo. Para dispositivos com novo eUFS 3…1 vai levar tudo 1,5 minutos para mover 100 GB, enquanto para um smartphone baseado em memória eUFS 3…0 vai demorar mais 4 minutos.
Em termos de desempenho arbitrário, eUFS 3…1 A capacidade de 512 GB processa informações 60% mais rápido do que UFS 3…0, oferecendo 100.000 IOPS de leitura e 70.000 IOPS de gravação. Velocidade de leitura sequencial vs. eUFS 3…0, não mudou – é 2100 MB / s.
Além do eUFS Flash 3…1 512 GB, também haverá opções com capacidade de 128 GB e 256 GB. Os primeiros smartphones baseados na nova memória aparecerão no final deste ano.
