Samsung apresenta a memória V-NAND 6. Geração com até 136 camadas

A Samsung anunciou sua sexta geração de memória V-NAND na terça-feira, que oferece mais de 100 camadas ativas para melhorar ainda mais a capacidade e a densidade. Para tornar o V-NAND lucrativo a partir de uma perspectiva de desempenho com mais de 100 camadas, a empresa teve que usar a nova tecnologia de design de circuitos. A nova memória oferece 10% menos latência e usa 15% menos energia que a geração anterior Samsung V-NAND.

O V-NAND o 6. A geração da Samsung possui até 136 camadas, além de células flash trap trap (CTF). A nova loja usa uma pilha e não usa tecnologias como o empilhamento de cadeias para criar mais de 100 camadas. Para garantir erros mínimos e baixas latências, a Samsung teve que usar um novo design de circuito com velocidade otimizada. Este último permite que o novo chip 3D TLC de 256 Gbit, de acordo com a Samsung, tenha uma latência inferior a 450 microssegundos (μs) para operações de gravação e menos de 45 μs para operações de leitura, o que é comparado ao V-NAND 5. A geração é 10% mais rápida. O mais recente V-NAND também consome menos energia que seus antecessores.

Vale ressaltar que os novos dispositivos V-NAND com 136 camadas e 256 Gbit usam 670 milhões de furos em comparação com 930 milhões de furos da geração anterior. Isso significa que os novos chips exigem menos etapas do processo e são mais fáceis de fabricar. É importante que a Samsung queira usar sua arquitetura de 136 camadas com o design de circuito com velocidade otimizada para construir dispositivos V-NAND com mais de 300 camadas, montando três das pilhas atuais umas sobre as outras (o que triplica a capacidade de um chip).

A Samsung oferecerá inicialmente dispositivos V-NAND com TLC 3D de 256 Gbit e 136 camadas, que serão inicialmente utilizados para os SSDs de 250 GB da Samsung. Antes do final do ano, a Samsung planeja lançar dispositivos V-NAND com capacidade de 512 Gbit / se 136 camadas, que devem ser usados ​​para outras unidades e também para soluções de armazenamento eUFS.

Com o SSD V-NAND da sexta geração com 256 GB, deve-se ressaltar que o novo controlador Samsung com a designação S4LR030 / S94G4MW2 é usado.

Leitura relacionada:

Fonte: Samsung