A Samsung, sendo líder na produção de módulos de memória, anunciou quando pode agradar com as suas novas conquistas nesta área. Em Hong Kong, no Qualcomm 4G / 5G Summit, a fabricante sul-coreana revelou que dispositivos móveis com memória flash UFS 3…0 entrará no mercado já em 2019.
UFS ROM 3…0
O Gen 3 Unified File Storage estará disponível em três opções: 128 GB, 256 GB e 512 GB. E a opção, com um volume de 1 TB será lançado em 2021. Chips UFS 3…0 será fabricado usando as tecnologias 3D-NAND mais recentes da Samsung e permitirá à empresa não apenas aumentar a densidade de armazenamento em um tamanho, mas também fazer dispositivos móveis em 2 vezes mais rápido.
LPDDR5 RAM
Outra conquista da Samsung na produção de módulos de memória será LPDDR5 RAM. A Samsung mostrou o formato LPDDR5 pela primeira vez em julho deste ano, mas decidiu lembrá-lo mais uma vez no encontro da Qualcomm 4G / 5G.
De acordo com o fabricante, a largura de banda máxima de memória do novo formato será de 51,2 GB / s (atualmente cerca de 25 GB / s). Ao mesmo tempo, a eficiência energética aumentará 20%.
A produção em massa de LPDDR5 será lançada em 2020.
